MWC 2019: Micron & SanDisk bringen microSD-Karten mit 1TB Speicherplatz

Micron und SanDisk nutzen den MWC 2019 für die Vorstellung von microSD-Speicherkarten mit 1 TB Speicherplatz – das neue Maximum für diesen Standard. Die erneute Verdoppelung des Speichervolumens hat allerdings ihren Preis, denn die Karten kosten mehr als doppelt so viel wie ihre 512-GB-Pendants.

SanDisk, die Markentochter von Western Digital, nennt für die 1TB SanDisk Extreme UHS-I microSDXC card eine Preisempfehlung (UVP) von 489 Euro. Die 512-GB-Version kostet mit 189 Euro weniger als die Hälfte. Die 1-TB-microSD-Karte soll im April erhältlich sein. Micron stellt für das zweite Quartal 2019 die Verfügbarkeit der c200 1TB microSDXC UHS-I card in Aussicht, nennt aber noch keinen Preis.

Während Micron von der „ersten 1 TB microSD-Karte der Welt“ spricht, ist bei SanDisk von der „schnellsten 1TB UHS-I microSD flash memory card“ die Rede. Beide nutzen die UHS-I-Schnittstelle und sollen laut U3-Geschwindigkeitsklasse eine andauernde Schreibrate von mindestens 30 MB/s erreichen.


SanDisk Extreme UHS-I microSDXC 1 TB
SanDisk Extreme UHS-I microSDXC 1 TB (Bild: SanDisk)

Die SanDisk Extreme UHS-I microSDXC 1 TB wird allerdings mit bis zu 160 MB/s beim sequenziellen Lesen beworben und ist damit deutlich schneller als die Micron c200 microSDXC 1 TB, bei der der Hersteller von bis zu 100 MB/s spricht. Für das sequenzielle Schreiben nennt SanDisk bis zu 90 MB/s, Micron ist mit maximal 95 MB/s zumindest auf dem Papier etwas schneller.

Bis zu 160 MB/s bei SanDisk übersteigen das eigentliche Maximum von UHS-I, das bei 104 MB/s liegt. Der Hersteller will dies über eine „proprietäre Technik“ erreichen, sofern ein kompatibles Gerät eingesetzt wird.

Bis zu 160 MB/s Lesegeschwindigkeit; erreicht dank proprietärer Technologie eine höhere Geschwindigkeit als die UHS-I-typischen 104 MB/s (nur in Verbindung mit kompatiblen Geräten)

SanDisk

Zum eingesetzten NAND-Flash macht SanDisk keine näheren Angaben, auch wenn die von Toshiba und Western Digital entwickelte BiCS4-Generation mit 96-Layern wahrscheinlich ist. Micron spricht hingegen explizit von „96-layer 3D quad-level cell (QLC) NAND“.

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